国家/地区 Korea（3）
关键词 SCHOTTKY BARRIER HEIGHT（3）
出版物
出版时间 2020（3）
机构 SUNGKYUNKWAN.（2）
作者 KANG WT（2） LEE I（2） YU WJ（2）

Understanding the Charge Transport Mechanism in MoS2 Transistors with Graphene Electrodes

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

JANG J, HWANG DK

Photoinduced Tuning of Schottky Barrier Height in Graphene/MoS2 Heterojunction for Ultrahigh Performance Short Channel Phototransistor

ACS NANO

LEE I, KANG WT, KIM JE, KIM YR, WON UY, LEE YH, YU WJ

Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

LEE I, KIM JN, KANG WT, SHIN YS, LEE BH, YU WJ