国家/地区 China（3）
关键词 IIINITRIDE（2） VAN DER WAALS EPITA.（2）
出版物
出版时间 2021（3）
机构
作者 HAO ZB（3）

Van der Waals coherent epitaxy of GaN and InGaN/GaN multi-quantum-well via a graphene inserted layer

OPTICAL MATERIALS EXPRESS

YU JD, WANG L, HAN X, HAO ZB, LUO Y, SUN CZ, HAN YJ, XIONG B, WANG J, LI HT

First-principle calculations of adsorption of Ga (Al, N) adatoms on the graphene for the van-der-Waals epitaxy

MATERIALS TODAY COMMUNICATIONS

YU JD, HAO ZB, WANG L, LUO Y, WANG J, SUN CZ, HAN YJ, XIONG B, LI HT

Low-temperaturevan der waals epitaxy of GaN films on graphene through AlN buffer by plasma-assisted molecular beam epitaxy

JOURNAL OF ALLOYS COMPOUNDS

YU JD, HAO ZB, DENG J, LI X, WANG L, LUO Y, WANG J, SUN CZ, HAN YJ, XIONG B, LI HT