国家/地区 China（2）
关键词 CHARGE TRAP（2）
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出版时间
机构 CHINESE ACAD SCI（2）
作者 JIN Z（2）

Carrier-Number-Fluctuation Induced Ultralow 1/f Noise Level in Top-Gated Graphene Field Effect Transistor

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

PENG SG, JIN Z, ZHANG DY, SHI JY, MAO DC, WANG SQ, YU GH

Abnormal Dirac point shift in graphene field-effect transistors

MATERIALS RESEARCH EXPRESS

WANG SQ, JIN Z, HUANG XN, PENG SG, ZHANG DY, SHI JY