国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物
出版时间 2016（2）
机构 GWANGJU INST SCI TECHNOL（2）
作者 LEE BH（2）

Demonstration of Complementary Ternary Graphene Field-Effect Transistors

SCIENTIFIC REPORTS

KIM Y, KIM SY, NOH J, SHIM C, JUNG U, LEE SK, CHANG KE, CHO C, LEE BH

Origin of the channel width dependent field effect mobility of graphene field effect transistors

MICROELECTRONIC ENGINEERING

LEE YG, LIM SK, KANG CG, KIM YJ, CHOI DH, CHUNG HJ, CHOI R, LEE BH