国家/地区 Korea（2）
关键词 NONVOLATILE MEMORY（2）
出版物
出版时间
机构 HANYANG UNIV（2）
作者 KIM D（2）

Memory Effect by Carrier Trapping Into V3Si Nanocrystals Among SiO2 Layers on Multi-Layered Graphene Layer

JOURNAL OF NANOSCIENCE NANOTECHNOLOGY

LEE DU, KIM D, LEE KS, KIM EK

Electrical characteristics of resistive switching memory with metal oxide nanoparticles on a graphene layer

THIN SOLID FILMS

LEE DU, KIM D, KIM EK, CHO WJ, KIM YH, IM H