国家/地区 Korea（2）
关键词 RESISTIVE SWITCHING MEMORY（2）
出版物
出版时间
机构 KOREA ADV INST SCI TECHNOL（2）
作者 CHOI SY（2）

Flexible Resistive Switching Memory Device Based on Graphene Oxide

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

HONG SK, KIM JE, KIM SO, CHOI SY, CHO BJ

Multilevel resistive switching nonvolatile memory based on MoS2 nanosheet-embedded graphene oxide

2D MATERIALS

SHIN GH, KIM CK, BANG GS, KIM JY, JANG BC, KOO BJ, WOO MH, CHOI YK, CHOI SY