国家/地区 Korea（2）
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机构 KYONGGI UNIV（2）
作者 KIM D（2）

Semiconducting channel self-imposed in metallic graphene using an oxygen ion reaction

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

SEO K, KIM D, JU S, JUNG MW, AN KS

Direct deposition of aluminum oxide gate dielectric on graphene channel using nitrogen plasma treatment

APPLIED PHYSICS LETTERS

LIM T, KIM D, JU S