国家/地区 Germany（45）
关键词 GRAPHENE（4） EPITAXIAL GRAPHENE（2） TWISTED BILAYER GRA.（2）
出版物 PHYSICAL REVIEW B（13） NANO LETTERS（10） APPLIED PHYSICS LET.（7）
PHYSICAL REVIEW LET.（3） JOURNAL OF PHYSICS .（2） JOURNAL OF PHYSICSC.（2）
SURFACE SCIENCE（2）
出版时间 2009（9） 2008（7） 2010（7） 2011（7） 2014（3） 2016（3） 2019（3） 2020（3）
机构 MAX PLANCK INST FESTKORPERFORSCH（45）
作者 STARKE U（24） KERN K（18） BURGHARD M（11） RIEDL C（11）
ZAKHAROV AA（11） COLETTI C（9） FORTI S（9） SMET JH（8）
EMTSEV KV（6） GOMEZNAVARRO.（6） BALASUBRAMAN.（5） AST CR（4）
KRAUSS B（4） STOHR A（4） SUNDARAM RS（4） VON KLITZING.（4）
BRIHUEGA I（3） GIERZ I（3） KUSTER K（3） LEE DS（3）

Overdoping Graphene Beyond the van Hove Singularity

PHYSICAL REVIEW LETTERS

ROSENZWEIG P, KARAKACHIAN H, MARCHENKO D, KUSTER K, STARKE U

Band dispersion of graphene with structural defects

PHYSICAL REVIEW B

KOT P, PARNELL J, HABIBIAN S, STRASSER C, OSTROVSKY PM, AST CR

Large-area synthesis of a semiconducting silver monolayer via intercalation of epitaxial graphene

PHYSICAL REVIEW B

ROSENZWEIG P, STARKE U

Introducing strong correlation effects into graphene by gadolinium intercalation

PHYSICAL REVIEW B

LINK S, FORTI S, STOHR A, KUSTER K, ROSNER M, HIRSCHMEIER D, CHEN C, AVILA J, ASENSIO MC, ZAKHAROV AA, WEHLING TO, LICHTENSTEIN AI, KATSNELSON MI, STARKE U

Tuning the doping level of graphene in the vicinity of the Van Hove singularity via ytterbium intercalation

PHYSICAL REVIEW B

ROSENZWEIG P, KARAKACHIAN H, LINK S, KUSTER K, STARKE U

Spin-Split Band Hybridization in Graphene Proximitized with alpha-RuCl3 Nanosheets

NANO LETTERS

MASHHADI S, KIM Y, KIM J, WEBER D, TANIGUCHI T, WATANABE K, PARK N, LOTSCH B, SMET JH, BURGHARD M, KERN K

Formation and structural analysis of twisted bilayer graphene on Ni(111) thin flims

SURFACE SCIENCE

IWASAKI T, ZAKHAROV AA, EELBO T, WASNIOWSKA M, WIESENDANGER R, SMET JH, STARKE U

Bipolar gating of epitaxial graphene by intercalation of Ge

APPLIED PHYSICS LETTERS

BARINGHAUS J, STOHR A, FORTI S, KRASNIKOV SA, ZAKHAROV AA, STARKE U, TEGENKAMP C

Epitaxial graphene on SiC: from carrier density engineering to quasi-free standing graphene by atomic intercalation

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

FORTI S, STARKE U

Revealing the electronic band structure of trilayer graphene on SiC: An angle-resolved photoemission study

PHYSICAL REVIEW B

COLETTI C, FORTI S, PRINCIPI A, EMTSEV KV, ZAKHAROV AA, DANIELS KM, DAAS BK, CHANDRASHEKHAR MVS, OUISSE T, CHAUSSENDE D, MACDONALD AH, POLINI M, STARKE U