国家/地区 Singapore（3）
关键词 MEMORY DEVICE（3）
出版物 SMALL（2）
出版时间 2013（2）
机构 NANYANG TECHNOL UNIV（3）
作者 ZHANG H（3）

Memory Devices Using a Mixture of MoS2 and Graphene Oxide as the Active Layer

SMALL

YIN ZY, ZENG ZY, LIU JQ, HE QY, CHEN P, ZHANG H

Fabrication of Flexible, All-Reduced Graphene Oxide Non-Volatile Memory Devices

ADVANCED MATERIALS

LIU JQ, YIN ZY, CAO XH, ZHAO F, WANG LH, HUANG W, ZHANG H

Preparation of MoS2-Polyvinylpyrrolidone Nanocomposites for Flexible Nonvolatile Rewritable Memory Devices with Reduced Graphene Oxide Electrodes

SMALL

LIU JQ, ZENG ZY, CAO XH, LU G, WANG LH, FAN QL, HUANG W, ZHANG H