国家/地区 Germany（2）
关键词
出版物 JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS（2）
出版时间
机构 UNIV ERLANGEN NURNBERG（2）
作者 SPECK F（2）

Implanted bottom gate for epitaxial graphene on silicon carbide

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

WALDMANN D, JOBST J, FROMM F, SPECK F, SEYLLER T, KRIEGER M, WEBER HB

Characteristics of solution gated field effect transistors on the basis of epitaxial graphene on silicon carbide

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

RISTEIN J, ZHANG WY, SPECK F, OSTLER M, LEY L, SEYLLER T