国家/地区 Belgium（2）
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机构 UNIV NAMUR FUNDP（2）
作者 SANTOS CN（2）

Direct growth of graphene on Si(111)

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

TRUNG PT, CAMPOSDELGADO J, JOUCKEN F, COLOMER JF, HACKENS B, RASKIN JP, SANTOS CN, ROBERT S

The role of SiC as a diffusion barrier in the formation of graphene on Si(111)

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PHAM TT, SANTOS CN, JOUCKEN F, HACKENS B, RASKIN JP, SPORKEN R