国家/地区 Malaysia（2）
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机构 UNIV TEKNOL MALAYSIA UTM（2）
作者 KARIMI H（2）

Analytical model for threshold voltage of double gate bilayer graphene field effect transistors

MICROELECTRONICS RELIABILITY

SAEIDMANESH M, RAHMANI M, KARIMI H, KHALEDIAN M, ISMAIL R

An Analytic Model for Estimating the Length of the Velocity Saturated Region in Double Gate Bilayer Graphene Transistors

JOURNAL OF NANOMATERIALS

SAEIDMANESH M, KIANI MJ, SIEW KE, AKBARI E, KARIMI H, ISMAIL R