国家/地区 China（4）
关键词
出版物
出版时间 2018（3）
机构 XI AN JIAO TONG UNIV（4）
作者 WEI R（4）

Bismuth mediated defect engineering of epitaxial graphene on SiC(0001)

CARBON

HU TW, MA DY, FANG QL, ZHANG P, LIU XT, WEI R, PAN Y, XU KW, MA F

Formation of Micro- and Nano-Trenches on Epitaxial Graphene

APPLIED SCIENCESBASEL

HU TW, LIU XT, MA DY, WEI R, XU KW, MA F

Nanostructured Bi Grown on Epitaxial Graphene/SiC

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS

HU TW, HUI X, ZHANG XH, LIU XT, MA DY, WEI R, XU KW, MA F

Enhanced n-doping of epitaxial graphene on SiC by bismuth

APPLIED PHYSICS LETTERS

HU TW, FANG QL, ZHANG XH, LIU XT, MA DY, WEI R, XU KW, MA F