国家/地区 Japan（4）
关键词 ELECTRONIC STRUCTUR.（2） FET（2）
出版物 APPLIED PHYSICS EXPRESS（4）
出版时间 2020（4）
机构 UNIV TSUKUBA（4）
作者 GAO YL（2） MARUYAMA M（2） MURATA H（2） OKADA S（2）
SUEMASU T（2） TOKO K（2）

Asymmetric carrier penetration into hexagonal boron nitride in graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

OKADA S, MARUYAMA M, GAO YL

Influence of interlayer stacking arrangements on carrier accumulation in bilayer graphene field effect transistors

APPLIED PHYSICS EXPRESS

GAO YL, MARUYAMA M, OKADA S

350 degrees C synthesis of high-quality multilayer graphene on an insulator using Ni-induced layer exchange

APPLIED PHYSICS EXPRESS

MURATA H, NOZAWA K, SAITOH N, YOSHIZAWA N, SUEMASU T, TOKO K

Fe-induced layer exchange of multilayer graphene for rechargeable battery anodes

APPLIED PHYSICS EXPRESS

NAKAJIMA Y, MURATA H, KADO Y, MATSUMURA R, FUKATA N, SUEMASU T, TOKO K