国家/地区 Korea（2）
关键词 FIELD EFFECT TRANSISTOR（2）
出版物 APPLIED PHYSICS LETTERS（2）
出版时间
机构
作者

Horizontally aligned ZnO nanowire transistors using patterned graphene thin films

APPLIED PHYSICS LETTERS

KIM H, PARK JH, SUH M, AHN JR, JU S

Influence of metal work function on the position of the Dirac point of graphene field-effect transistors

APPLIED PHYSICS LETTERS

PARK N, KIM BK, LEE JO, KIM JJ