国家/地区 China（2）
关键词
出版物 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS（2）
出版时间
机构 UNIV ELECT SCI TECHNOL CHINA（2）
作者

Fabrication of High-Gain Photodetector With Graphene-PbSe Heterostructure

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

REN YX, DAI TJ, HE B, LIU XZ

Flexible Graphene Field-Effect Transistors With Extrinsic f(max) of 28

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

LAN Y, XU YH, WU Y, CAO ZY, CHEN TS, ZHOU JH, WU YQ, CHEN YF, YAN B, XU RM, LI YR