国家/地区 Iran（2）
关键词 NONEQUILIBRIUM GREE.（2）
出版物 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（2）
出版时间
机构 ISLAMIC AZAD UNIV（2）
作者

Role of Biasing and Device Size on Phonon Scattering in Graphene Nanoribbon Transistors

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

DINARVAND A

Modeling of a Vertical Tunneling Transistor Based on Graphene-MoS2 Heterostructure

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

HORRI A, FAEZ R, POURFATH M, DARVISH G