国家/地区 China（3）
关键词
出版物 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（3）
出版时间
机构 CHINESE ACAD.（2）
作者 CHEN XL（3）

Fluctuation-induced tunneling conduction in iodine-doped bilayer graphene

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

WU ZF, CHEN XL, ZHANG MW, WANG L, HAN Y, XU SG, HAN TY, LIN JXZ, AN LH, WANG JW, CAI XB, SHI R, CHENG C, WANG N

The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001)

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

GUO Y, GUO LW, HUANG J, YANG R, JIA YP, LIN JJ, LU W, LI ZL, CHEN XL

Substrate doping effects on Raman spectrum of epitaxial graphene on SiC

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

YANG R, HUANG QS, CHEN XL, ZHANG GY, GAO HJ