国家/地区 France（15）
关键词 GRAPHENE（4）
出版物 JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS（15）
出版时间 2014（5） 2010（2） 2012（2） 2016（2） 2022（2）
机构 UNIV PARIS S.（3） UJF（2） UNIV PARIS 1.（2）
作者 DOLLFUS P（3） NGUYEN VH（3） ABDERRABBA M（2） BOURNEL A（2）
CHALLAB N（2） DHAOUADI E（2） FARHAT S（2） HIEBEL F（2）
HINKOV I（2） MAGAUD L（2） MALLET P（2） PASHOVA K（2）
ROUSSIGNE Y（2） TEJEDA A（2） VEUILLEN JY（2）

Charge spill-out and work function of few-layer graphene on SiC(0001)

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RENAULT O, PASCON AM, ROTELLA H, KAJA K, MATHIEU C, RAULT JE, BLAISE P, POIROUX T, BARRETT N, FONSECA LRC

Quantum Hall effect of self-organized graphene monolayers on the C-face of 6H-SiC

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JABAKHANJI B, CONSEJO C, CAMARA N, DESRAT W, GODIGNON P, JOUAULT B

Graphene nanotransistors for RF charge detection

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PALLECCHI E, WILMART Q, BETZ AC, JHANG SH, FEVE G, BERROIR JM, LEPILLET S, DAMBRINE G, HAPPY H, PLACAIS B

Graphene: from functionalization to devices

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TEJEDA A, SOUKIASSIAN PG

On the non-linear effects in graphene devices

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NGUYEN VH, ALARCON A, BERRADA S, DO VN, STMARTIN J, QUERLIOZ D, BOURNEL A, DOLLFUS P

Resonant tunnelling diodes based on graphene/h-BN heterostructure

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NGUYEN VH, MAZZAMUTO F, BOURNEL A, DOLLFUS P

Structure and stability of the interface between graphene and 6H-SiC(000-1) (3 x 3): an STM and ab initio study

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HIEBEL F, MAGAUD L, MALLET P, VEUILLEN JY

Anodic bonded graphene

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BALAN A, KUMAR R, BOUKHICHA M, BEYSSAC O, BOUILLARD JC, TAVERNA D, SACKS W, MARANGOLO M, LACAZE E, GOHLER R, ESCOFFIER W, POUMIROL JM, SHUKLA A

Interface structure of graphene on SiC: an ab initio and STM approach

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

VEUILLEN JY, HIEBEL F, MAGAUD L, MALLET P, VARCHON F

Angle dependence of the local electronic properties of the graphene/MoS2 interface determined by ab initio calculations

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

DI FELICE D, ABAD E, GONZALEZ C, SMOGUNOV A, DAPPE YJ