国家/地区 美国（53） 日本（28） 韩国（25） 世界知识产权组织（22） 中国（18） 欧洲专利局（EPO）（11） 德国（6） 法国（4） 澳大利亚（3） 巴西（3） 印度（3） 俄罗斯（3） 加拿大（2） 墨西哥（2）
IPC部 C（46） H（46） B（40）
G（10） D（7） E（2）
IPC大类 H01（45） C01（31） B82（17）
B32（16） B05（15） B01（8）
C08（6） C09（6） C30（6）
D01（6） G01（6） C23（5）
B29（4） C04（3） G11（3）
IPC小类 H01L（34） C01B（31） B32B（16）
B05D（15） B82Y（11） B01J（8）
B82B（8） H01B（8） C30B（6）
D01F（6） C08K（5） C08L（5）
H01M（5） B29C（4） C23C（4）
IPC C01B031/04（21） C01B031/02（18） C01B031/00（9）
B32B009/00（8） B82Y030/00（8） H01L029/06（7）
B05D003/02（6） B82B003/00（6） H01L029/16（6）
H01L029/786（6） B01J021/18（5） B82Y040/00（5）
D01F009/12（5） H01B001/04（5） H01L021/336（5）
发明人 CHOI J（9） CHOI J Y（8） SHIN H（8）
SHIN H J（8） YOON S（8） YOON S M（8）
JANG B Z（7） ZHAMU A（7） CHEN A（3）
HARADA N（3） IN Z（3） KRIVOKAPIC Z（3）
BERTHELOT T（2） DIKIN D A（2） HIURA H（2）
公开年 2010（39） 2009（35） 2008（8）
申请年 2008（82）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） JANG B Z（7） ZHAMU A（7） NANOTEK INST.（6）
FUJITSU LTD（5） DOKURITSU GY.（4） ADVANCED MIC.（3） COMMISSARIAT.（3）
NEC CORP（3） GM GLOBAL TE.（2） GM GLOBAL TE.（2） HEWLETTPACKA.（2）
INT BUSINESS.（2） SHI J（2） UNIV EWHA IN.（2） UNIV NORTHWE.（2）
UNIV SEOUL N.（2）

Electrostatic deposition of graphene on substrate involves applying voltage across graphite sample secured to positive electrode and substrate placed over a second electrode, so as to transfer graphene from graphite sample to the substrate.

SUMANASEKERA G, SIDOROV A N, OUSEPH P J, YAZDANPANAH M M, COHN R W, JALILIAN R

Temperature-controlled part attachment method, in which layer containing carbon particles in the form of fibre or nanotubes or graphene is soldered onto surface of base by means of high-temperature solder.

ABDUEV A KH, ABDUEV M KH M, AKHMEDOV A K, ASVAROV A SH

Manufacture of aqueous graphene solution for use in electronic device, involves oxidizing graphite, dispersing graphene oxide using ionic high molecule and aqueous conductive polymer, and reducing graphene oxide.

IM S, LEE G, LEE S, GU LEE S, GYUN LEE G, MYEONG IM S

Graphene variable energy visible light emission penetration optical device for e.g. field emission display, has graphene pieces fixed in substrate, and multiple insulating layers formed at upper part of graphene pieces.

CHOI J, KIM G, U CHOI J, BEOM KIM G

Unipolar hetero-junction depletion-layer transistor for use in high frequency circuit utilized for e.g. wireless communication, has tunnel diode permitting current of carriers in direction of collector, where base includes graphene layer.

LIPPERT G, MEHR W

Electrical circuit structure comprises layers of graphene formed one another, first and second electrical contacts each electrically connected with single graphene layer, electrically insulating layer, and electrically insulting material.

MARINERO E E

Semiconductor structure of e.g. transistor, has epitaxial lateral over growth (ELOG) material positioned upon thermally and electrically conductive (TEC) mask and formed of carbon nanostructures and graphene material.

MATHAI S V, THYLEN L H, WANG S

Bipolar FET e.g. e.g. bipolar graphene channel FET used in semiconductor integrated circuit device e.g. common-source circuit, has voltage application device which changes polarity of transistor, from direction of gate electrode.

HARADA N

Platinum cluster used as highly active catalyst for electrode used for capacitor and fuel cell, comprises platinum particles with particle diameter of below specified value supported by carbon material containing graphene.

AKITA T, HOMMA I, KAYAMA M, NAKAMURA J, OKAZAKI K, YU E J, HONMA I

Solid nanocomposite particle composition used for lithium metal or lithium ion battery electrode applications comprises electrode active material, nano graphene platelets and protective matrix material.

JANG B Z, SHI J, ZHAMU A