国家/地区 中国（292） 美国（206） 韩国（193） 世界知识产权组织（107） 日本（101） 欧洲专利局（EPO）（60） 台湾（22） 印度（15） 德国（10） 墨西哥（8） 俄罗斯（8） 巴西（7） 加拿大（6） 英国（6） 西班牙（5） 法国（5） 香港（4） 印度尼西亚（3） 新加坡（3） 澳大利亚（2）
IPC部 C（375） H（348） B（215）
G（59） D（16） A（11）
F（10）
IPC大类 H01（335） C01（258） B82（135）
C08（68） B32（56） C23（54）
B01（50） B05（36） G01（36）
C09（27） H05（19） C07（16）
B29（15） C30（12） D01（12）
IPC小类 C01B（256） H01L（179） B82Y（93）
H01B（88） H01M（75） B82B（57）
B32B（56） C08K（56） C23C（54）
C08L（46） B01J（43） H01G（38）
B05D（36） G01N（29） C08J（22）
IPC C01B031/04（161） C01B031/02（129） B82Y030/00（63）
B82Y040/00（62） B82B003/00（50） C08K003/04（47）
H01B001/04（43） C23C016/26（35） C01B031/00（31）
H01L029/786（30） H01L021/20（28） H01L021/336（28）
B32B009/00（25） H01L029/16（25） H01B001/24（24）
发明人 WANG Y（42） ZHOU M（37） HWANG S W（19）
CHUNG H J（17） HONG B H（16） PAN J（13）
CHEN Y（12） SONE C S（12） WANG J（12）
CHOI J（11） LIU Y（11） WANG X（11）
LI Y（10） LIU J（10） LIU X（10）
公开年 2011（327） 2012（207） 2010（104） 2013（2）
申请年 2010（644）
专利权人 HAIYANGWANG .（36） OCEANS KING .（36） SAMSUNG ELEC.（28） UNIV SUNGKYU.（22）
SAMSUNG LED .（19） INT BUSINESS.（16） OCEAN S KING.（13） SHENZHEN OCE.（13）
KOREA ADV IN.（12） VORBECK MATE.（11） NAT CENT NAN.（9） NAT CENT NAN.（9）
SAMSUNG TECH.（8） UNIV SHANGHA.（8） UNIV TSINGHU.（8） INST MICROEL.（7）
UNIST ACADIN.（7） UNIV FUDAN（7） UNIV TIANJIN（7） CHINESE ACAD.（6）

Electronic device including graphene-based layer(s), and/or method of making the same.

VEERASAMY V S

Process for producing improved heat-exchange fluid from two-dimensional carbon nanomaterials, involves dispersing chemically functionalized exfoliated graphene in commercially available coolant without surfactant.

PRATHAB B, DEBASHISH B, MUKHERJEE T, DAS S

Manufacturing large scale substrate free high purity graphene polyhedral structures at industrial scale cost effectively by utilizing chemical vapor deposition.

DEV A

Combination of substrate comprising silicon, silicon carbide or metal and graphene precursor with aromatic structure e.g. benzene and functional groups e.g. dienes to grow graphene structure used in e.g. large integrated electronic devices.

ZHOU C, SALGUERO T T

Production of graphene used in manufacture of semiconductor devices, involves providing substrate, focusing laser beam in presence of carbon doping gas and continuing focusing laser beam to photolytically react carbon with substrate.

KAR A, QUICK N R

Organic electronic device structure comprises a graphene layer on which organic molecules (with or without dopants) are deposited to form an organic layer on top of the graphene layer.

DIVYA

Ion device useful in apparatus for analyzing DNA, comprises chamber comprising first and second regions, first electrode in first region, second electrode in second region, and graphene layer between first and second electrodes.

KIM K B, KIM H M, LEE M H

Graphene transistor manufacturing method involves forming drain and gate electrode on insulating layer that is laminated between source and drain regions.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Preparation of graphene modified bismuth molybdate powder comprises adding bismuth molybdenum oxide into dispersing agent, adding hydrazine hydrate solution and concentrated ammonia water, and conducting water bath reaction.

ZHOU F

Circuit apparatus for e.g. electronic integrated circuit device, comprises graphene film which consists of several layers, metal electrode directly joined to graphene film, and another metal electrode directly joined to graphene film.

OKAI M, HIROKA M, WADA Y