国家/地区 中国（3） 美国（3）
IPC部 C（5） H（3）
IPC大类 C01（3） H01（3） C08（2）
C09（2）
IPC小类 C01B（3） H01L（3） C08K（2）
C08L（2） C09D（2）
IPC C01B031/04（2） C08K003/04（2） C08K009/04（2）
C08L023/06（2） C08L067/02（2） C09D005/24（2）
C09D167/00（2）
发明人 ZHOU C（5）
公开年 2014（3） 2015（2）
申请年 2014（5）
专利权人 UNIV SHANGHA.（2） ZHOU C（2）

Production of graphene used in production of graphene-based nanostructures, involves treating combination of substrate chosen from silicon, silicon carbide or metal and graphene precursor and converting obtained intermediate.

ZHOU C, SALGUERO T T

Graphene-composite functional material for preparing e.g. piezoresistive material, comprises sulfonated graphene-grafted poly-3,4-(ethylene dioxythiophene).

BAO Y, CHEN S, CHEN Z, WANG J, XU G, YANG C, XING C, ZHOU C, LOU J, ZHU T

Graphene-modified resin powder coating comprises resin, filler, auxiliary agent, pigment, and graphene.

CHEN X, LIANG Z, PAN R, ZHOU C

Polymer used in thin film packaging preparation comprises magnetic oxide graphene sheet of polymer, an arrangement and orientation of polymer in graft type magnetic polymer containing functionalized graphene oxide slices.

BAO Y, CHEN S, CHEN Z, WANG J, XU G, YANG C, XING C, ZHOU C, LOU J, ZHU T

Method for growing graphene layer on metal foil for e.g. forming field-effect transistor, involves positioning foil in vessel placed in chamber, introducing hydrogen, annealing foil, introducing methane and depositing carbon on foil.

ZHOU C, ZHANG Y, ZHANG L