国家/地区 美国（2）
IPC部 C（3） B（2） H（2）
IPC大类 C01（3） C23（3） B82（2）
H01（2）
IPC小类 C01B（3）
IPC C23C016/26（3）
发明人
公开年 2012（3）
申请年 2011（3）
专利权人

Making a graphene composite structure used as electrode involves growing a graphene film on the first surface of the metal substrate by a chemical vapor deposition method; and etching the metal substrate from the second surface.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Manufacture of graphene sheet involves interconnecting warped surfaces of catalyst substrate, growing graphene on one surface of warped surfaces, and separating bonded substrates.

JIN J, JEON S, LEE Y, HONG Y

Method of directly synthesizing uniform multilayer graphene of semiconductor device, involves passing reaction gas into reaction chamber, after temperature in reaction chamber reaches specific level.

ZHONG Z, LEE S, LEE K