国家/地区 中国（2） 欧洲专利局（EPO）（2） 日本（2） 韩国（2） 美国（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（3）
IPC大类 C30（3） C01（2）
IPC小类 C30B（3）
IPC C30B029/02（3）
发明人
公开年 2015（3）
申请年 2014（3）
专利权人

Flexible metal substrate device for growing graphene thin film, has reflective plate that is located on outer peripheral side of heater for reflecting heat chamber in inward direction.

CHEN Z, HU B, WU H, WU K, XU W, ZHANG H, ZHANG Y, XI M, YU G

Manufacture of monocrystal graphene film for semiconductor device, involves forming polycrystalline graphene on substrate using hydrocarbon gas, growing graphene film, forming catalyst, heating and recrystallizing.

HWANG C, HWANG C Y

Formation of graphene for structure formation involves depositing metals on surface of silicon carbide and heating silicon carbide and metals under predetermined conditions.

IACOPI F, AHMED M, CUNNING B V