国家/地区 中国（1903） 美国（675） 韩国（503） 世界知识产权组织（394） 日本（242） 欧洲专利局（EPO）（176） 台湾（130） 德国（41） 印度（41） 英国（27） 加拿大（24） 俄罗斯（22） 澳大利亚（17） 西班牙（16） 法国（16） 新加坡（14） 巴西（12） 波兰（11） 墨西哥（9） 罗马尼亚（6）
IPC部 C（2836） B（957） H（826）
G（183） F（75） A（63）
D（34） E（13）
IPC大类 C23（2836）
IPC小类 C23C（2683） C01B（915） H01L（423）
B82Y（357） C22C（206） B32B（198）
B22F（195） C23F（187） C25D（181）
H01B（173） B05D（152） C30B（151）
H01M（148） C09D（132） B01J（130）
IPC C23C016/26（1224） C01B031/04（327） B82Y040/00（286）
C23C016/02（285） C01B031/02（271） B82Y030/00（270）
C01B032/186（261） C23C016/44（232） C23C014/06（192）
C23C016/455（179） C23C028/00（174） C23C014/35（170）
C23C016/56（167） H01L021/02（155） C01B032/194（141）
发明人 ZHANG Y（98） LI X（96） WANG Y（75）
ZHANG X（75） LI Z（69） WANG X（69）
ZHANG J（66） LI J（65） ZHANG L（65）
LIU Y（60） LI Y（57） LIU Z（54）
WANG C（53） WANG J（51） ZHANG H（51）
公开年 2021（439） 2022（422） 2017（281） 2018（238） 2020（233） 2016（201） 2023（184） 2013（179） 2015（173） 2014（159） 2012（121） 2019（108） 2011（69） 2010（18） 2009（5） 2003（2）
申请年 2021（414）  2022（341）  2020（320）  2016（282）  2019（219）  2017（210）  2012（169）  2018（169）  2014（167）  2015（165）  2013（148）  2011（117）  2010（54）  2023（27）  2009（24）  2008（5）  2001（2）  2002（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（64） CHINESE ACAD.（34） SHANGHAI INS.（34） UNIV SUNGKYU.（33）
UNIV PEKING（32） TOKYO ELECTR.（26） CHONGQING GR.（24） HARBIN INST .（23）
KOREA INST S.（23） UNIV TSINGHU.（23） UNIV SHANGHA.（22） WUXI MINGSHE.（21）
BEIJING GRAP.（20） SAMSUNG TECH.（19） UNIV XIDIAN（19） UNIV CALIFOR.（18）
UNIV SUNGKYU.（18） HANWHA TECHW.（17） CHONGQING MO.（16） POSCO（16）

Current collector for lithium metal battery, has graphene single layer that is formed on conductive thin film, metal nanoparticles that are provided on graphene layer, and concave-convex portion including protrusion and concave portion.

JUNG H T, SUK J D, WU M H, KIM J Y, MOON S, JIN H Y, BOH K G

Forming graphene involves pretreating surface for processing using one or more pretreating flowrates of substrate gas scavenging gas composition or annealing gas composition, in presence of one or more pretreating temperatures, to produce contaminant-depleted surface.

PHILPOTT R, BARAKET M, SHERRILL V

Article comprises polymer body, and metal coating on at least portion of outer surface of polymer body, where metal coating comprises plating metal and overlaying two-dimensional conductive nanoparticle and catalyst metal comprising copper, silver, platinum, or palladium.

ZWARTZ E G, WANG Y, HU N

Plasma deposition of material onto two dimensional layer of first substrate, involves depositing protective layer directly onto dimensional layer by pulsed plasma deposition process, and depositing second layer onto protective layer by second plasma deposition process.

RIAZIMEHR S, KNOOPS H, SUNDARAM R

Method for manufacturing surface-patterned current collector, comprises etching and patterning current collector and coating carbon material on patterned current collector, where patterning by etching comprises electrochemical etching.

JIN A, SUNG G W

Branched nano-wire array composite photoelectric film used for photo cathode protection, has composite heterojunction system cadmium sulfide/reduced graphene oxide quantum dots/titanium dioxide branched nanowire array composite photoelectric film.

HOU B, LU G, SUN M, JIANG X

Preparing graphene-coated electronic compound comprises mixing calcium source and aluminum source compound, placing mixture into an organic solvent, stirring, placing transparent solution into high-pressure reaction vessel, and heating at a high temperature.

QING T, KHAN K, LI N, YIN J, QING D

Microwave plasma chemical vapor deposition device, has metal cavity wall arranged around periphery of reaction cavity, where metal cavity wall is configured for shrinking or expanding around reaction cavity.

XU G, LIU F, WU H, AN K

Layer-by-layer structure graphene-metal composite material for use in various applications e.g. military fields, has material structure formed by repeatedly arranging graphene-metal structure according to tightly stacking technique.

ZHANG Y

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A