国家/地区 美国（2）
IPC部 C（2）
IPC大类 C01（2） H01（2）
IPC小类 C01B（2）
IPC C01B031/04（2）
发明人 ZHOU C（2）
公开年
申请年 2014（2）
专利权人

Production of graphene used in production of graphene-based nanostructures, involves treating combination of substrate chosen from silicon, silicon carbide or metal and graphene precursor and converting obtained intermediate.

ZHOU C, SALGUERO T T

Method for growing graphene layer on metal foil for e.g. forming field-effect transistor, involves positioning foil in vessel placed in chamber, introducing hydrogen, annealing foil, introducing methane and depositing carbon on foil.

ZHOU C, ZHANG Y, ZHANG L