国家/地区 中国（2） 美国（2）
IPC部 B（3）
IPC大类 C04（3） C23（3） B82（2）
C01（2） H01（2）
IPC小类 C04B（3）
IPC C04B035/622（3）
发明人 HU S C（2） LIN I（2） SUNG C（2）
YU C（2）
公开年 2020（2）
申请年 2019（2） 
专利权人 HU S C（2） LIN I（2） SUNG C（2） YU C（2）

Preparing graphene-reinforced copper-based complex material comprises sintering raw materials by hot pressing or spark plasma (SPS) to convert amorphous carbon film into graphene microcrystals.

YANG Y, ZHANG F, XIA L, LI F

Forming graphene layer for e.g., LEDs, by mixing carbon source with horizontally oriented molten solvent, precipitating carbon source to form graphite layer across molten solvent, and separating graphite layer into a set of graphene layers.

SUNG C, HU S C, LIN I, YU C

Forming graphene layer used in e.g. transistors, solar panels, involves mixing carbon source with molten solvent, precipitating carbon source from solvent to form graphite layer, and separating graphite layer into several graphene layers.

SUNG C, HU S C, LIN I, YU C, SONG J