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  • 文献标题:   Evolution of epitaxial graphene layers on 3C SiC/Si (1 1 1) as a function of annealing temperature in UHV (vol 68, pg 563, 2014)
  • 文献类型:   Correction
  • 作　　者:   GUPTA B, NOTARIANNI M, MISHRA N, SHAFIEI M, IACOPI F, MOTTA N
  • 作者关键词:  
  • 出版物名称:   CARBON
  • ISSN:   0008-6223 EI 1873-3891
  • 通讯作者地址:   Queensland Univ Technol
  • 被引频次:   2
  • DOI:   10.1016/j.carbon.2014.12.028
  • 出版年:   2015

▎ 摘　　要