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  • 文献标题:   In Situ Tuning of Switching Window in a Gate-Controlled Bilayer Graphene-Electrode Resistive Memory Device
  • 文献类型:   Article
  • 作　　者:   TIAN H, ZHAO HM, WANG XF, XIE QY, CHEN HY, MOHAMMAD MA, LI C, MI WT, BIE Z, YEH CH, YANG Y, WONG HSP, CHIU PW, REN TL
  • 作者关键词:  
  • 出版物名称:   ADVANCED MATERIALS
  • ISSN:   0935-9648 EI 1521-4095
  • 通讯作者地址:   Stanford Univ
  • 被引频次:   20
  • DOI:   10.1002/adma.201503125
  • 出版年:   2015

▎ 摘　　要