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  • 文献标题:   Highly Air-Stable Phosphorus-Doped n-Type Graphene Field-Effect Transistors
  • 文献类型:   Article
  • 作　　者:   SOME S, KIM J, LEE K, KULKARNI A, YOON Y, LEE S, KIM T, LEE H
  • 作者关键词:   phosphoru, phosphorus doping, nucleophilicity, air stable ntype semiconducting channel, fieldeffect transistor
  • 出版物名称:   ADVANCED MATERIALS
  • ISSN:   0935-9648
  • 通讯作者地址:   Sungkyunkwan Univ
  • 被引频次:   131
  • DOI:   10.1002/adma.201202255
  • 出版年:   2012

▎ 摘　　要