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- 国际论文信息
- 文献标题: Memory Devices Using a Mixture of MoS2 and Graphene Oxide as the Active Layer
- 文献类型: Article
- 作 者: YIN ZY, ZENG ZY, LIU JQ, HE QY, CHEN P, ZHANG H
- 作者关键词: data storage, graphene oxide, memory device, molybdenum disulfide, nanosheet
- 出版物名称: SMALL
- ISSN: 1613-6810 EI 1613-6829
- 通讯作者地址: Nanyang Technol Univ
- 被引频次: 99
- DOI: 10.1002/smll.201201940
- 出版年: 2013
