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  • 文献标题:   Channel-Length-Dependent Field-Effect Mobility and Carrier Concentration of Reduced Graphene Oxide Thin-Film Transistors
  • 文献类型:   Article
  • 作　　者:   KOBAYASHI T, KIMURA N, CHI JB, HIRATA S, HOBARA D
  • 作者关键词:   fieldeffect transistor, graphene, nanosheet, solution processe, thinfilm transistor
  • 出版物名称:   SMALL
  • ISSN:   1613-6810 EI 1613-6829
  • 通讯作者地址:   Sony Corp
  • 被引频次:   59
  • DOI:   10.1002/smll.200902407
  • 出版年:   2010

▎ 摘　　要