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  • 文献标题:   Unintentional doping induced splitting of G peak in bilayer graphene (vol 99, 233110, 2011)
  • 文献类型:   Correction
  • 作　　者:   LIN SS, CHEN BG, PAN CT, HU S, TIAN P, TONG LM
  • 作者关键词:   doping, electron density, field effect transistor, fullerene device, graphene, ohmic contact, photolithography
  • 出版物名称:   APPLIED PHYSICS LETTERS
  • ISSN:   0003-6951
  • 通讯作者地址:   Zhejiang Univ
  • 被引频次:   0
  • DOI:   10.1063/1.3683524
  • 出版年:   2012

▎ 摘　　要