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  • 文献标题:   Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates (vol 49, 04DF17, 2010)
  • 文献类型:   Correction
  • 作　　者:   KANG HC, OLACVAW R, KARASAWA H, MIYAMOTO Y, HANDA H, SUEMITSU T, FUKIDOME H, SUEMITSU M, OTSUJI T
  • 作者关键词:  
  • 出版物名称:   JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
  • ISSN:   0021-4922
  • 通讯作者地址:   Tohoku Univ
  • 被引频次:   0
  • DOI:   10.1143/JJAP.49.079201
  • 出版年:   2010

▎ 摘　　要