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- 国际论文信息
- 文献标题: Van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs
- 文献类型: Article
- 作 者: HONG YJ, YANG JW, LEE WH, RUOFF RS, KIM KS, FUKUI T
- 作者关键词: van der waals epitaxy, double heterostructure, graphene, metalorganic vaporphase epitaxy, indium arsenide
- 出版物名称: ADVANCED MATERIALS
- ISSN: 0935-9648 EI 1521-4095
- 通讯作者地址: Sejong Univ
- 被引频次: 41
- DOI: 10.1002/adma.201302312
- 出版年: 2013
