1. 平台首页
  2. 国际论文信息
  • 文献标题:   Improved Drain Current Saturation and Voltage Gain in Graphene-on-Silicon Field Effect Transistors (vol 6, 25392, 2016)
  • 文献类型:   Correction
  • 作　　者:   SONG SM, BONG JH, HWANG WS, CHO BJ
  • 作者关键词:  
  • 出版物名称:   SCIENTIFIC REPORTS
  • ISSN:   2045-2322
  • 通讯作者地址:  
  • 被引频次:   0
  • DOI:   10.1038/srep28412
  • 出版年:   2016

▎ 摘　　要