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  • 文献标题:   Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy (vol 117, 051601, 2020)
  • 文献类型:   Correction
  • 作　　者:   CHEN Y, ZANG H, JIANG K, BEN JW, ZHANG SL, SHI ZM, JIA YP, LU W, SUN XJ, LI DB
  • 作者关键词:  
  • 出版物名称:   APPLIED PHYSICS LETTERS
  • ISSN:   0003-6951 EI 1077-3118
  • 通讯作者地址:   Chinese Acad Sci
  • 被引频次:   0
  • DOI:   10.1063/5.0025404
  • 出版年:   2020

▎ 摘　　要