国家/地区 Malaysia（2）
关键词
出版物 JOURNAL OF NANOELECTRONICS OPTOELECTRONICS（2）
出版时间
机构 UNIV TEKNOL MALAYSIA（2）
作者 ALIAS NE（2）

Scaling Challenges of Floating Gate Non-Volatile Memory and Graphene as the Future Flash Memory Device: A Review

JOURNAL OF NANOELECTRONICS OPTOELECTRONICS

HAMZAH A, AHMAD H, TAN MLP, ALIAS NE, JOHARI Z, ISMAIL R

The Electronic and Transport Properties of Defective Bilayer Graphene Nanoribbon

JOURNAL OF NANOELECTRONICS OPTOELECTRONICS

JOHARI Z, AUZAR Z, ALIAS NE