国家/地区 France（2）
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机构 CNRS（2）
作者 BALAN A（2）

Sharp interface in epitaxial graphene layers on 3C-SiC(100)/Si(100) wafers

PHYSICAL REVIEW B

OUERGHI A, RIDENE M, BALAN A, BELKHOU R, BARBIER A, GOGNEAU N, PORTAIL M, MICHON A, LATIL S, JEGOU P, SHUKLA A

Large area molybdenum disulphide-epitaxial graphene vertical Van der Waals heterostructures

SCIENTIFIC REPORTS

PIERUCCI D, HENCK H, NAYLOR CH, SEDIRI H, LHUILLIER E, BALAN A, RAULT JE, DAPPE YJ, BERTRAN F, LE FEVRE P, JOHNSON ATC, OUERGHI A