国家/地区 India（2）
关键词 TRANSISTOR（2）
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机构 INDIAN INST SCI（2）
作者 BHAT N（2）

Influence of O-2 flow rate on HfO2 gate dielectrics for back-gated graphene transistors

SEMICONDUCTOR SCIENCE TECHNOLOGY

GANAPATHI KL, BHAT N, MOHAN S

Intrinsic limits of subthreshold slope in biased bilayer graphene transistor

APPLIED PHYSICS LETTERS

MAJUMDAR K, MURALI KVRM, BHAT N, LIN YM