国家/地区 China（3）
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出版时间 2019（3）
机构 CHINESE ACAD.（3）
作者 BI JS（3）

Total ionizing dose effects on graphene-based charge-trapping memory

SCIENCE CHINAINFORMATION SCIENCES

XI K, BI JS, MAJUMDAR S, LI B, LIU J, XU YN, LIU M

The total ionizing dose effects of X-ray irradiation on graphene/Si Schottky diodes with a HfO2 insertion layer

MICROELECTRONICS RELIABILITY

XU YN, BI JS, LI YD, XI K, FAN LJ, LIU M, SANDIP M, LUO L

The effects of gamma-ray irradiation on graphene/n-Si Schottky diodes

APPLIED PHYSICS EXPRESS

XU YN, BI JS, XI K, LIU M