国家/地区 Italy（2）
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机构 IST ITALIANO TECNOL（2）
作者 BISIO F（2）

Electronic properties of single-layer tungsten disulfide on epitaxial graphene on silicon carbide

NANOSCALE

FORTI S, ROSSI A, BUCH H, CAVALLUCCI T, BISIO F, SALA A, MENTES TO, LOCATELLI A, MAGNOZZI M, CANEPA M, MULLER K, LINK S, STARKE U, TOZZINI V, COLETTI C

Rapid CVD growth of millimetre-sized single crystal graphene using a cold-wall reactor

2D MATERIALS

MISEIKIS V, CONVERTINO D, MISHRA N, GEMMI M, MASHOFF T, HEUN S, HAGHIGHIAN N, BISIO F, CANEPA M, PIAZZA V, COLETTI C