| 国家/地区 |
Russia（4）
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| 关键词 | |
| 出版物 | APPLIED PHYSICS LET.（2） SEMICONDUCTORS（2） |
| 出版时间 | 2018（2） |
| 机构 | IOFFE INST（3） |
| 作者 |
DANILOV SN（4）
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SEMICONDUCTORS
VASILIEV YB, NOVIKOV SN, DANILOV SN, GANICHEV SD
On the Fabrication of Graphene p-n Junctions and Their Application for Detecting Terahertz Radiation
SEMICONDUCTORS
VASILEVA GY, VASILYEV YB, NOVIKOV SN, DANILOV SN, GANICHEV SD
APPLIED PHYSICS LETTERS
VASILYEV YB, VASILEVA GY, NOVIKOV S, TARASENKO SA, DANILOV SN, GANICHEV SD
APPLIED PHYSICS LETTERS
VASILYEV YB, VASILEVA GY, IVANOV YL, NOVIKOV S, DANILOV SN