国家/地区 Usa（4）
关键词 FIELDEFFECT TRANSIS.（2） GRAPHENE（2）
出版物
出版时间 2009（4）
机构 CARNEGIE MEL.（3）
作者 FEENSTRA RM（4）

The influence of the band structure of epitaxial graphene on SiC on the transistor characteristics

SOLID STATE COMMUNICATIONS

GU G, LUXMI, FISHER PJ, SRIVASTAVA N, FEENSTRA RM

Morphology of graphene on SiC(000(1)over-bar) surfaces

APPLIED PHYSICS LETTERS

LUXMI, FISHER PJ, SRIVASTAVA N, FEENSTRA RM, SUN YG, KEDZIERSKI J, HEALEY P, GU G

Tunneling spectroscopy of graphene and related reconstructions on SiC(0001)

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE TECHNOLOGY A

NIE S, FEENSTRA RM

Temperature Dependence of Epitaxial Graphene Formation on SiC(0001)

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS

LUXMI, NIE S, FISHER PJ, FEENSTRA RM, GU G, SUN YG