国家/地区 Usa（2）
关键词 GRAPHENE（2）
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机构 GEORGIA INST TECHNOL（2）
作者 HANKINSON J（2）

Half integer quantum Hall effect in high mobility single layer epitaxial graphene

APPLIED PHYSICS LETTERS

WU XS, HU YK, RUAN M, MADIOMANANA NK, HANKINSON J, SPRINKLE M, BERGER C, DE HEER WA

Scalable control of graphene growth on 4H-SiC C-face using decomposing silicon nitride masks

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

PUYBARET R, HANKINSON J, PALMER J, BOUVIER C, OUGAZZADEN A, VOSS PL, BERGER C, DE HEER WA