国家/地区 Germany（2）
关键词 MOLECULAR BEAM EPITAXY（2）
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机构
作者 HEILMANN M（2）

Influence of Proximity to Supporting Substrate on van der Waals Epitaxy of Atomically Thin Graphene/Hexagonal Boron Nitride Heterostructures

ACS APPLIED MATERIALS INTERFACES

HEILMANN M, PRIKHODKO AS, HANKE M, SABELFELD A, BORGARDT NI, LOPES JMJ

Defect mediated van der Waals epitaxy of hexagonal boron nitride on graphene

2D MATERIALS

HEILMANN M, BASHOUTI M, RIECHERT H, LOPES JMJ