国家/地区 Japan（2）
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机构 TOHOKU UNIV（2）
作者 JIAO S（2）

Epitaxial graphene formation on 3C-SiC/Si thin films

JOURNAL OF PHYSICS DAPPLIED PHYSICS

SUEMITSU M, JIAO S, FUKIDOME H, TATENO Y, MAKABE I, NAKABAYASHI T

Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110)

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SAMBONSUGE S, JIAO S, NAGASAWA H, FUKIDOME H, FILIMONOV SN, SUEMITSU M