国家/地区 Korea（2）
关键词
出版物
出版时间 2012（2）
机构 SAMSUNG ADV INST TECHNOL（2）
作者 KIM K（2）

Semimetal-antiferromagnetic insulator transition in graphene induced by biaxial strain

PHYSICAL REVIEW B

LEE SH, KIM S, KIM K

Graphene Barristor, a Triode Device with a Gate-Controlled Schottky Barrier

SCIENCE

YANG H, HEO J, PARK S, SONG HJ, SEO DH, BYUN KE, KIM P, YOO I, CHUNG HJ, KIM K