国家/地区 Korea（2）
关键词 NONVOLATILE MEMORY（2）
出版物 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY（2）
出版时间
机构
作者 LEE S（2）

Fabrication and electrical characteristics of graphene-based charge-trap memory devices

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

LEE S, KIM SM, SONG EB, WANG KL, SEO DH, SEO S

Different working mechanisms for a graphene resistive memory based on oxygen-ion transport

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY

LEE S