国家/地区 China（2）
关键词 FLASH ANNEALING（2）
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机构
作者 MA F（2）

Near-free-standing epitaxial graphene on rough SiC substrate by flash annealing at high temperature

CARBON

HU TW, BAO HW, LIU S, LIU XT, MA DY, MA F, XU KW

High-quality, single-layered epitaxial graphene fabricated on 6H-SiC (0001) by flash annealing in Pb atmosphere and mechanism

NANOTECHNOLOGY

HU TW, LIU XT, MA F, MA DY, XU KW, CHU PK